- 非IC关键词
企业档案
- 相关证件: 
- 会员类型:普通会员
- 地址:深圳市福田区华强北国利大厦1538
- 传真:0755-83931040
- E-mail:xiaonan1215@163.com
产品分类
您的当前位置:深圳恒迈伟业电子技术有限公司 > 元器件产品
产品信息
数据列表:IKW50N60H3
标准包装:240
类别:分离式半导体产品
家庭:IGBT - 单路
系列:TrenchS*™
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集电*发射*击穿(*大):600V
Vge, Ic时的*大Vce(开):2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电* (Ic)(*大):100A
功率 - *大:333W
输入类型:标准型
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商设备封装:PG-TO247-3
包装:管件
其它名称:IKW50N60H3FKSA1SP
什么是IGBT模块?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),*缘栅双*型晶体管.是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻*和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。*适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,*控制输入*N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻*特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基*注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压
而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT *的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双*晶体管,起发射*的作用,向漏*注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电*称为漏*。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅*电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基*电流,使IGBT 导通。反之,加反向门*电压消除沟道,切断基*电流,使IGBT 关断。